首頁 > 新聞資訊 Ansys平臺支持臺積電的N6RF Design Reference Flow，助力5G、WiFi與IoT應用領域利用臺積電N6RF工藝技術打造速度更快、性能更強的射頻芯片
主要亮點
- Ansys多物理場平臺支持臺積電N6RF Design Reference Flow，助力基于其N6工藝技術的射頻（RF）芯片設計
- Ansys解決方案，包括Ansys? RaptorX?、Ansys? Exalto?、Ansys? VeloceRF?與Ansys? Totem?，均可支持臺積電N6RF Design Reference Flow從實施到驗證的整個過程
Ansys聯合臺積電共同開發針對N6工藝技術的臺積電N6RF Design Reference Flow。Reference Flow采用Ansys多物理場仿真平臺（包括：Ansys? RaptorX?、Ansys? Exalto?、Ansys? VeloceRF?與Ansys? Totem?）為射頻芯片的設計提供低風險的可靠解決方案。
臺積電的N6RF Design Reference Flow可為RF設計人員提供能加快設計周期的工作流程，減少因過度設計造成的資源浪費。該流程可提高5G無線通信、WiFi連接和IoT網絡應用芯片的性能與可靠性。Ansys與臺積電合作擴展對先進節點技術的支持，并強化RaptorX和Ansys? HFSS?，以接受臺積電的加密技術文件。
臺積電N6RF Design Reference Flow采用Ansys多物理場仿真平臺，為射頻芯片設計提供低風險且可靠的解決方案
臺積電設計基礎架構管理部副總裁Suk Lee指出：“無線通信已成為當今高科技系統的有機組成部分，我們與生態合作伙伴密切合作，憑借基于N6RF工藝技術、經過驗證的RF Design Reference Flow，以及業界常用的設計工具，來滿足這一日益增長的需求，從而助力雙方客戶有效利用我們先進技術的強大能力與性能，以快速推出新一代芯片設計。”
臺積電的N6RF Design Reference Flow可在Ansys平臺中實現高級設計功能，包括電磁耦合的快速設計內分析，以及線圈、傳輸線路及其它感應電路設備的綜合布局。該流程還支持電感器下方電路技術，能夠顯著縮小器件占板面積，進而降低RF設計成本。
Ansys副總裁兼半導體、電子與光學事業部總經理John Lee表示：“現代系統設計正不斷擴大多物理場效應的影響范圍，這在優化各種關鍵設計項目的功耗、性能與面積時，都應被認真考慮。此次與臺積電的合作，使雙方客戶能更容易地利用Ansys先進的解決方案平臺，對臺積電制造的集成電路進行電磁相互作用仿真和建模。”
（文章來源公眾號：Ansys）
