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2018年10月2日，ANSYS宣布，ANSYS解決方案已通過臺積電的7nm FinFET Plus（N7+）工藝技術節點認證，支持EUV（極紫外線光刻技術）技術，而且參考流程經驗證可支持最新的基于內存基板應用的集成扇出型（InFO_MS）高級封裝技術。上述認證和驗證對于無晶圓廠的半導體企業非常重要，有助于其仿真工具通過嚴格的測試和驗證過程，從而支持新的工藝節點和封裝技術。
ANSYS? RedHawk?和ANSYS? Totem?通過了臺積電N7+工藝技術認證，能提供支持EUV的相關特性。N7+的認證包括提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）和熱可靠性分析等方面。
業界領先的臺積電InFO高級封裝技術經過擴展后可將內存子系統和邏輯芯片集成在一起。臺積電和ANSYS改進了現有的InFO設計流程，支持新型InFO_MS封裝技術，并使用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS? RedHawk-CPA?、ANSYS? RedHawk-CTA?、ANSYS? CMA?和ANSYS? CSM?及相應的芯片模型驗證了參考流程。InFO_MS參考流程包括晶片和封裝的協同仿真和協同分析，支持提取、電源和信號完整性分析、電源和信號電遷移分析以及熱分析等。
臺積電設計基礎設施市場營銷部門的高級總監Suk Lee指出：“臺積電和ANSYS的最新N7+認證合作和InFO_MS支持工作能幫助客戶滿足新一代芯片和封裝對于更高性能、可靠性和功耗的要求。”
ANSYS半導體事業部總經理John Lee指出：“隨著智能互聯電子設備的數量不斷增多，制造商必須跟上發展步伐，設計出節能型、高性能、可靠性產品，同時降低成本，縮小封裝。ANSYS半導體解決方案可滿足功率、熱、可靠性等復雜的多物理場挑戰，也能應對工藝變化對產品性能的影響。ANSYS的綜合芯片封裝系統解決方案支持芯片感知系統和系統感知芯片簽核，有助于雙方共同的客戶以更大的信心加速設計收斂。”
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